FDP7030L、FDP7030L_NL对比区别

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型号 FDP7030L FDP7030L_NL

描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220

极性 N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100 A 80A

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 80.0 A -

漏源极电阻 7.00 mΩ -

耗散功率 68W (Tc) -

漏源击穿电压 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

输入电容(Ciss) 2440pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 68 W -

耗散功率(Max) 68W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -