FDP7030L
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP7030L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 7.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 68W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 100 A
输入电容Ciss 2440pF @15VVds
额定功率Max 68 W
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDP7030L引脚图与封装图
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在线购买FDP7030L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP7030L | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | 搜索库存 |
替代型号FDP7030L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP7030L 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 100A 7mohms | 当前型号 | N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | 当前型号 |
| 型号： FDP7030L_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | FDP7030L和FDP7030L_NL的区别 |