STGW60H65DRF、STGW60H65F对比区别
描述 60A,650V场截止沟槽栅IGBT,以及超快二极管Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 420000 mW 360000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 650 V 650 V
反向恢复时间 19 ns -
额定功率(Max) 420 W 360 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 420000 mW 360000 mW
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99