锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STGW60H65F

STGW60H65F

数据手册.pdf

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

You can use this IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 360000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

STGW60H65F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 360 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGW60H65F引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STGW60H65F
型号 制造商 描述 购买
STGW60H65F ST Microelectronics 意法半导体 Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube 搜索库存
替代型号STGW60H65F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STGW60H65F

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247-3 360000mW

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

当前型号

型号: STGW60H65DRF

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3 420000mW

类似代替

60A,650V场截止沟槽栅IGBT,以及超快二极管

STGW60H65F和STGW60H65DRF的区别