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OPA699IDG4、OPA699IDR、OPA699ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA699IDG4 OPA699IDR OPA699ID

描述 OPA699: 宽带、高增益限压放大器 8-SOIC -40 to 85高速运算放大器 Wideband High Gain Vltg LimitingOPA 系列,Texas Instruments### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00V (min) 5.00V (min) 5.00V (min)

输出电流 70mA @5V 70mA @5V 70mA @5V

供电电流 15.5 mA 15.5 mA 15.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 - - 8

共模抑制比 54 dB 54 dB 54 dB

输入补偿漂移 15.0 µV/K 15.0 µV/K 15.0 µV/K

带宽 260 MHz 260 MHz 1 GHz

转换速率 1.40 kV/μs 1.40 kV/μs 1.40 kV/μs

增益频宽积 880 MHz 880 MHz 880 MHz

输入补偿电压 1.5 mV 1.5 mV 1.5 mV

输入偏置电流 3 µA 3 µA 3 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

3dB带宽 260 MHz 260 MHz 260 MHz

增益带宽 1 GHz 1 GHz 880 MHz

共模抑制比(Min) 54 dB 54 dB 54 dB

电源电压 - - 5V ~ 12V

电源电压(Max) 12 V 12 V 12 V

电源电压(Min) 5 V 5 V 5 V

耗散功率 - 174.4 mW -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15