J112、J112_D26Z、J111对比区别

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型号 J112 J112_D26Z J111

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J112  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, 5 V, TO-92, JFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J112_D26Z  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V 35.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA

额定功率 350 mW - 350 mW

击穿电压 -35.0 V - -35.0 V

针脚数 - - 3

漏源极电阻 50 Ω 50 Ω 30 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

漏源极电压(Vds) 35.0 V 35.0 V 35 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 mA 5.00 mA 20.0 mA

击穿电压 35 V 35 V 35 V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW -

栅源击穿电压 35.0 V - -

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99