J112_D26Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
J112_D26Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 35.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 mA
击穿电压 35 V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
J112_D26Z引脚图与封装图
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在线购买J112_D26Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| J112_D26Z | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J112_D26Z 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFET | 搜索库存 |
替代型号J112_D26Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J112_D26Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 35V 50mA 50ohms 625mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J112_D26Z 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFET | 当前型号 |
| 型号： J112 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 35V 50mA 50ohms 350mW | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J112 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, 5 V, TO-92, JFET | J112_D26Z和J112的区别 |
| 型号： J112_D27Z 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 T/R | J112_D26Z和J112_D27Z的区别 |
| 型号： J112RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 35V 50mA 350mW | 功能相似 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | J112_D26Z和J112RLRAG的区别 |