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LMH6504MAX/NOPB、LMH6504MA/NOPB、LMH6504MAX对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMH6504MAX/NOPB LMH6504MA/NOPB LMH6504MAX

描述 Wideband, Low Power, Variable Gain Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃Wideband, Low Power, Variable Gain Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃Wideband, Low Power, Variable Gain Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 12.0V (max) 12.0V (max) -

供电电流 11 mA 11 mA 11 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 -

转换速率 1.50 kV/μs 1.50 kV/μs -

增益频宽积 150 MHz - 150 MHz

输入补偿电压 10 mV - 10 mV

输入偏置电流 900 nA 1.4 µA 900 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

3dB带宽 150 MHz 150 MHz 150 MHz

增益带宽 150 MHz - 150 MHz

电源电压(Max) 10V ~ 15V 10V ~ 15V -

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.45 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead