DJT4031N-13、NJT4031NT1G、PBSS4350Z,135对比区别
型号 DJT4031N-13 NJT4031NT1G PBSS4350Z,135
描述 DIODES INC. DJT4031N-13 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 105 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFEON SEMICONDUCTOR NJT4031NT1G. 晶体管, NPN, 3A, 40V, 2W, SOT-223低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
频率 - 215 MHz 100 MHz
针脚数 3 4 4
极性 NPN NPN -
耗散功率 1.2 W 2 W 2 W
增益频宽积 - 215 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 50 V
集电极最大允许电流 3A 3A -
最小电流放大倍数(hFE) 200 @1A, 1V 200 @1A, 1V 100 @2A, 2V
额定功率(Max) 1.2 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) 220 100 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
额定功率 - - 1.35 W
最大电流放大倍数(hFE) - - 200 @500mA, 2V
长度 - 6.7 mm 6.7 mm
宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.7 mm
高度 - 1.65 mm 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -