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AUIRF7478Q、AUIRF7478QTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF7478Q AUIRF7478QTR

描述 SOIC N-CH 60V 7ASOIC N-CH 60V 7A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SO-8 SOIC-8

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W

产品系列 AUIRF7478Q -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 7A 7A

上升时间 2.6 ns 2.6 ns

输入电容(Ciss) 1740pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

封装 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free