AUIRF7478QTR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
AUIRF7478QTR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 2.6 ns
输入电容Ciss 1740pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AUIRF7478QTR引脚图与封装图
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在线购买AUIRF7478QTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AUIRF7478QTR | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 60V 7A | 搜索库存 |
替代型号AUIRF7478QTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AUIRF7478QTR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-CH 60V 7A | 当前型号 | SOIC N-CH 60V 7A | 当前型号 |
| 型号： AUIRF7478Q 品牌： 英飞凌 封装： SO-8 N-CH 60V 7A | 完全替代 | SOIC N-CH 60V 7A | AUIRF7478QTR和AUIRF7478Q的区别 |
| 型号： IRF7478QTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-CH 60V 7A | 完全替代 | SOIC N-CH 60V 7A | AUIRF7478QTR和IRF7478QTRPBF的区别 |