IRFP250NPBF、MTW32N20E、STW34NB20对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFP250NPBF MTW32N20E STW34NB20

描述 INFINEON  IRFP250NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V200V,32A,N沟道功率MOSFETN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 200 V 200 V

额定电流 - 32.0 A 34.0 A

漏源极电阻 0.075 Ω 0.075 Ω 75.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 214 W 180 W 180W (Tc)

输入电容 2159 pF 3600pF @25V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 30A 32.0 A 34.0 A

上升时间 43 ns 120 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 2159pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)

下降时间 33 ns 91 ns 18 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 214W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc)

额定功率 214 W - 180 W

通道数 1 - 1

额定功率(Max) 214 W - 180 W

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

热阻 0.7℃/W (RθJC) - -

长度 15.9 mm 16.26 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm 5.15 mm

高度 20.3 mm 21.08 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -