JAN2N5672、JAN2N6676、JANTX2N5672对比区别

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型号 JAN2N5672 JAN2N6676 JANTX2N5672

描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-3 TO-204 TO-3

极性 NPN - NPN

耗散功率 - - 6 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 300 V 120 V

集电极最大允许电流 30A - 30A

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @1A, 3V 20 @15A, 2V

额定功率(Max) - 6 W 6 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 6000 mW - 6000 mW

封装 TO-3 TO-204 TO-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99