JAN2N6676
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6676中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 15 @1A, 3V
额定功率Max 6 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N6676引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N6676
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6676 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JAN2N6675 品牌： 美高森美 封装： TO-3 | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin2+Tab TO-3 | JAN2N6676和JAN2N6675的区别 |
| 型号： JAN2N5672 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN | 功能相似 | NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6676和JAN2N5672的区别 |
| 型号： JANTX2N6676 品牌： 美高森美 封装： TO-3 | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6676和JANTX2N6676的区别 |
