IPB200N25N3G、IPP200N25N3G、FDA59N25对比区别

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型号 IPB200N25N3G IPP200N25N3G FDA59N25

描述 OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1 TO-3-3

安装方式 - Through Hole -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 300 W 392 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.049 Ω

阈值电压 - - 5 V

输入电容 - - 3090 pF

漏源极电压(Vds) - 250 V 250 V

上升时间 - - 480 ns

输入电容(Ciss) - 7100pF @100V(Vds) 4020pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 392 W

下降时间 - - 170 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 392000 mW

封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1 TO-3-3

长度 - - 16.2 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

香港进出口证 - NLR -