FDA59N25
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
FDA59N25中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.049 Ω
耗散功率 392 W
阈值电压 5 V
输入电容 3090 pF
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 480 ns
输入电容Ciss 4020pF @25VVds
额定功率Max 392 W
下降时间 170 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 392000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 电源管理, 照明, 消费电子产品
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDA59N25引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDA59N25
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDA59N25 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDA59N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDA59N25 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 340BZ | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： FDA59N30 品牌： 安森美 封装： TO-3P-3 | 类似代替 | FDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PN | FDA59N25和FDA59N30的区别 |