STD95N3LLH6、STP85N3LH5、STU95N3LLH6对比区别

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型号 STD95N3LLH6 STP85N3LH5 STU95N3LLH6

描述 STMICROELECTRONICS  STD95N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS  STP85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VN沟道30 V ， 0.0037 I© ， 80 A， D2PAK ， DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3

引脚数 3 3 -

耗散功率 70 W 70 W 70W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0037 Ω 0.0046 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 1 V 2.5 V -

连续漏极电流(Ids) 80A 40.0 A -

上升时间 91 ns 14 ns -

额定功率(Max) 70 W 70 W -

下降时间 23.4 ns 10.8 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3

长度 6.6 mm - -

宽度 6.2 mm - -

高度 2.4 mm - -

工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -