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STP85N3LH5

STP85N3LH5

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STMICROELECTRONICS  STP85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel Power MOSFET utilizes the 5th generation of design rules of proprietary STripFET™ technology. The lowest available RDS ON
.
Qg, in the standard packages, makes this device suitable for the most demanding DC-to-DC converter applications, where high power density is to be achieved.
.
RDS ON x Qg industry benchmark
.
Extremely low ON-resistance RDS ON
.
High avalanche ruggedness
.
Low gate drive power losses
STP85N3LH5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 10.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP85N3LH5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP85N3LH5 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号STP85N3LH5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP85N3LH5

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 30V 40A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号： FDP8870

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 30V 156A 4.1mohms 5.2nF

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型号： FDP8860

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 30V 80A 2.5mohms 12.2nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8860  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.5 mohm, 10 V, 1.6 V

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型号： FDP8874

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 30V 114A 3.6mohms 3.13nF

功能相似

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