CBR04C809B5GAC、GRM1555C1H8R0BA01D、GJM1555C1H8R0BB01D对比区别
型号 CBR04C809B5GAC GRM1555C1H8R0BA01D GJM1555C1H8R0BB01D
描述 射频电容, C0G / NP0, 8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]8pf 0.1% 容差 50V C0G 0402 多层陶瓷电容8pF(8R0) ±0.1pF 50V 编带
数据手册 ---
制造商 KEMET Corporation (基美) muRata (村田) muRata (村田)
分类 电容陶瓷电容陶瓷电容
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装(公制) 1005 1005 1005
封装 0402 0402 0402
额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V
电容 8 pF 8 pF 8 pF
容差 ±0.1 pF ±0.1 pF ±0.1 pF
电介质特性 - C0G/NP0 C0G/NP0
产品系列 - GRM GJM
额定电压 50 V 50 V 50 V
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
长度 1.00 mm 1 mm 1.00 mm
宽度 0.5 mm 0.5 mm 500 µm
高度 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
封装(公制) 1005 1005 1005
封装 0402 0402 0402
厚度 - 0.5 mm 0.5 mm
材质 - C0G/-55℃~+125℃ C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 10000 10000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free