CBR04C809B5GAC
数据手册.pdfKEMET Corporation(基美)
电子元器件分类
CBR04C809B5GAC中文资料参数规格
技术参数
电容 8 pF
容差 ±0.1 pF
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 1005
封装 0402
外形尺寸
长度 1.00 mm
宽度 0.5 mm
高度 0.5 mm
封装公制 1005
封装 0402
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 RF，微波，高频
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CBR04C809B5GAC引脚图与封装图 
CBR04C809B5GAC引脚图
CBR04C809B5GAC封装图
CBR04C809B5GAC封装焊盘图
在线购买CBR04C809B5GAC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CBR04C809B5GAC | KEMET Corporation 基美 | 射频电容, C0G / NP0, 8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制] | 搜索库存 |
替代型号CBR04C809B5GAC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CBR04C809B5GAC 品牌： KEMET Corporation 基美 封装： 0402 | 当前型号 | 射频电容, C0G / NP0, 8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制] | 当前型号 |
| 型号： GRM1555C1H8R0BA01D 品牌： 村田 封装： 0402 8pF 50V 0.1pF | 类似代替 | 8pf 0.1% 容差 50V C0G 0402 多层陶瓷电容 | CBR04C809B5GAC和GRM1555C1H8R0BA01D的区别 |
| 型号： GJM1555C1H8R0BB01D 品牌： 村田 封装： 0402 8pF 50V 0.1pF | 类似代替 | 8pF8R0 ±0.1pF 50V 编带 | CBR04C809B5GAC和GJM1555C1H8R0BB01D的区别 |
| 型号： GRM1555C1H8R0BA01J 品牌： 村田 封装： 0402 8pF ±0.1pF 50V C0G/NP0 | 功能相似 | 0402 8pF ±0.1pF 50V C0G | CBR04C809B5GAC和GRM1555C1H8R0BA01J的区别 |