CY7C1250KV18-400BZC、CY7C1250KV18-400BZI、CY7C1250KV18-400BZXC对比区别

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型号 CY7C1250KV18-400BZC CY7C1250KV18-400BZI CY7C1250KV18-400BZXC

描述 36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)CY7C1250KV18 系列 36 Mb (1 M x 36) 1.8 V 400 MHz QDR II SRAM - FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

引脚数 165 - 165

时钟频率 400 MHz 400 MHz 400 MHz

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 36 - 36

存取时间 - - 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a