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2N5005、JAN2N5005对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5005 JAN2N5005

描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORTrans Pnp 80V 5A To59

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-59 TO-210

引脚数 3 -

封装 TO-59 TO-210

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Bulk

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 70 @2.5A, 5V

额定功率(Max) - 2 W

材质 Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free