击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V
额定功率Max 2 W
封装 TO-210
封装 TO-210
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N5005 品牌: Microsemi 美高森美 封装: ~3°C/W | 当前型号 | Trans Pnp 80V 5A To59 | 当前型号 | |
型号: JANTX2N5005 品牌: 美高森美 封装: ~3deg 2000mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | JAN2N5005和JANTX2N5005的区别 | |
型号: JANTXV2N5005 品牌: 美高森美 封装: ~3°C/W 2000mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59 | JAN2N5005和JANTXV2N5005的区别 | |
型号: 2N5005 品牌: 美高森美 封装: ~3deg | 类似代替 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5005和2N5005的区别 |