VB20150C-E3/4W、VB20150C-E3/8W对比区别

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型号 VB20150C-E3/4W VB20150C-E3/8W

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 1.2V @10A 1.2V @10A

正向电流 20 A 20 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 120 A 120 A

正向电压(Max) - 1.2V @10A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

长度 10.45 mm 10.45 mm

宽度 9.14 mm 9.14 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free