IRF7316TRPBF、SI4943BDY-T1-E3、STS4DPF30L对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF7316TRPBF SI4943BDY-T1-E3 STS4DPF30L

描述 P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETSTMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -4.90 A - -4.00 A

漏源极电阻 58.0 mΩ 19 mΩ 0.07 Ω

极性 P-Channel Dual P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

产品系列 IRF7316 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 4.90 A -8.40 A 4.00 A

输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) - 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.1 W 2 W

上升时间 - 10 ns 35 ns

反向恢复时间 - 55 ns -

正向电压(Max) - 1.2 V -

下降时间 - 60 ns 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)