BUK9K52-60E、SI9945BDY-T1-GE3对比区别

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型号 BUK9K52-60E SI9945BDY-T1-GE3

描述 NXP  BUK9K52-60E  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 0.0411 ohm, 10 V, 1.7 VVISHAY  SI9945BDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOT-1205 SOIC-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0411 Ω 0.046 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 32 W 3.1 W

阈值电压 1.7 V 2.5 V

输入电容 - 665pF @15V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

输入电容(Ciss) - 665pF @15V(Vds)

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.1 W

连续漏极电流(Ids) 17A -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOT-1205 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

包装方式 - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Unknown -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99