IRFP460PBF、SIHG20N50C-E3、IXFH21N50F对比区别

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型号 IRFP460PBF SIHG20N50C-E3 IXFH21N50F

描述 MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY  SIHG20N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 VIXYS RF  IXFH21N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247AD

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 280 W 292 W 300 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 21.0 A

上升时间 59 ns 27 ns 12.0 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2451pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 280 W 250 W 300W (Tc)

漏源极电阻 0.27 Ω 0.225 Ω -

阈值电压 4 V 5 V -

下降时间 58 ns 44 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 20.0 A - -

额定功率 280 W - -

输入电容 4200pF @25V - -

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.87 mm 15.87 mm -

宽度 5.31 mm 5.31 mm -

高度 20.82 mm 20.82 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - - Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC