SIHG20N50C-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.225 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 292 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2451pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHG20N50C-E3引脚图与封装图
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在线购买SIHG20N50C-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHG20N50C-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHG20N50C-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号SIHG20N50C-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHG20N50C-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-247 N-Channel 560V 20A | 当前型号 | VISHAY SIHG20N50C-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： IRFP460PBF 品牌： 威世 封装： TO-247AC N-Channel 500V 20A 270mohms | 功能相似 | MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | SIHG20N50C-E3和IRFP460PBF的区别 |