MTW32N20E、STW40NF20、STW34NB20对比区别

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型号 MTW32N20E STW40NF20 STW34NB20

描述 200V,32A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 VN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 32.0 A 40.0 A 34.0 A

漏源极电阻 0.075 Ω 0.038 Ω 75.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 180 W 160 W 180W (Tc)

输入电容 3600pF @25V 2.50 nF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 25.0 A, 40.0 A 34.0 A

上升时间 120 ns 44 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)

下降时间 91 ns 22 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 180W (Tc) 160W (Tc) 180W (Tc)

额定功率 - - 180 W

通道数 - - 1

额定功率(Max) - 160 W 180 W

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

栅电荷 - 75.0 nC -

长度 16.26 mm 15.75 mm -

宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 21.08 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -