PSMN009-100W、PSMN009-100W,127对比区别

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型号 PSMN009-100W PSMN009-100W,127

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTO-247 N-CH 100V 100A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 100 A -

极性 N-CH N-CH

输入电容 9.00 nF -

栅电荷 214 nC -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 100 A 100A

输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W -

耗散功率 - 300W (Tc)

上升时间 - 100 ns

下降时间 - 100 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free