PSMN009-100W,127
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PSMN009-100W,127中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 9000pF @25VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN009-100W,127引脚图与封装图
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在线购买PSMN009-100W,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN009-100W,127 | NXP 恩智浦 | TO-247 N-CH 100V 100A | 搜索库存 |
替代型号PSMN009-100W,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN009-100W,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-247 N-CH 100V 100A | 当前型号 | TO-247 N-CH 100V 100A | 当前型号 |
| 型号： PSMN009-100W 品牌： 恩智浦 封装： TO-247-3 N-CH 100V 100A 9nF | 类似代替 | N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor | PSMN009-100W,127和PSMN009-100W的区别 |