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VN800S-E、VN800STR-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN800S-E VN800STR-E

描述 高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

引脚数 8 8

封装 SO-8 SOIC-8

输出接口数 1 1

输出电流 700 mA -

供电电流 1.5 mA 1.5 mA

通道数 1 -

耗散功率 4200 mW 4200 mW

输出电流(Max) 700 mA 700 mA

输出电流(Min) 0.7 A 0.7 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 4200 mW 4200 mW

电源电压 5.5.36 VDC -

封装 SO-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99