VN800STR-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
供电电流 1.5 mA
耗散功率 4200 mW
输出电流Max 700 mA
输出电流Min 0.7 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 4200 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VN800STR-E引脚图与封装图
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在线购买VN800STR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN800STR-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号VN800STR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VN800STR-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 8-SOIC | 当前型号 | 高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： VN800S-E 品牌： 意法半导体 封装： SO 700mA 8Pin | 完全替代 | 高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER | VN800STR-E和VN800S-E的区别 |