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BZX55C12 R0、BZX79-C13,133、BZX55C12-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C12 R0 BZX79-C13,133 BZX55C12-TR

描述 Diode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/RALF 13.25V 0.5W(1/2W)齐纳二极管, 500mW, 12.7V, DO-35

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 - ±5 % ±5 %

针脚数 - - 2

正向电压 - 900mV @10mA 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 12.05 V 13 V 12 V

额定功率(Max) - 400 mW 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 10000

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 9.4 mV/K -