BZX55C12 R0
Taiwan Semiconductor
台湾半导体
电子元器件分类
BZX55C12 R0中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 12.05 V
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BZX55C12 R0引脚图与封装图
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在线购买BZX55C12 R0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55C12 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | Diode Zener Single 12V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 搜索库存 |
替代型号BZX55C12 R0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX55C12 R0 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： | 当前型号 | Diode Zener Single 12V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 当前型号 |
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| 型号： BZX55C12-TR 品牌： 威世 封装： DO-35 | 功能相似 | 齐纳二极管, 500mW, 12.7V, DO-35 | BZX55C12 R0和BZX55C12-TR的区别 |