IRF6619TR1、IRF6619TR1PBF对比区别

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型号 IRF6619TR1 IRF6619TR1PBF

描述 IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDSDirect-FET N-CH 20V 30A

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 5

封装 MT Direct-FET

额定功率 - 89 W

漏源极电阻 0.00165 Ω 0.00165 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8 W 2.8 mW

阈值电压 2.45 V 1.55 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30A

上升时间 71 ns 71 ns

输入电容(Ciss) 5040pF @10V(Vds) 5040pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.8 W 2.8 W

下降时间 9.3 ns 9.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 2.8W (Ta), 89W (Tc)

额定电压(DC) 20.0 V -

额定电流 30.0 A -

产品系列 IRF6619 -

漏源击穿电压 20.0 V -

长度 - 6.35 mm

宽度 - 5.05 mm

高度 - 0.7 mm

封装 MT Direct-FET

材质 - Silicon

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC -