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IRF6619TR1

IRF6619TR1

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 30A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0022Ω/Ohm @30A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.55-2.45V 耗散功率Pd Power Dissipation| Description & Applications| HEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile <0.7 mm Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount echniques 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 低开关损耗 薄型(<0.7毫米) 双面冷却双兼容 与现有的表面贴装echniques的兼容

IRF6619TR1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 30.0 A

漏源极电阻 0.00165 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.8 W

产品系列 IRF6619

阈值电压 2.45 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 71 ns

输入电容Ciss 5040pF @10VVds

额定功率Max 2.8 W

下降时间 9.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 MT

外形尺寸

封装 MT

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRF6619TR1引脚图与封装图
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替代型号IRF6619TR1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF6619TR1

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: MT N-Channel 20V 30A 1.65ohms

当前型号

IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS

当前型号

型号: IRF6619TR1PBF

品牌: 英飞凌

封装: DirectFET-MX N-Channel 20V 30A

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IRF6619TR1和IRF6619TR1PBF的区别