
额定电压DC 20.0 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 0.00165 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6619
阈值电压 2.45 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 5040pF @10VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 MT
封装 MT
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF6619TR1 | International Rectifier 国际整流器 | IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRF6619TR1 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: MT N-Channel 20V 30A 1.65ohms | 当前型号 | IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS | 当前型号 | |
型号: IRF6619TR1PBF 品牌: 英飞凌 封装: DirectFET-MX N-Channel 20V 30A | 功能相似 | Direct-FET N-CH 20V 30A | IRF6619TR1和IRF6619TR1PBF的区别 |