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DTC143ESATP、RN1105FV、DTC143XG-AL3-R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC143ESATP RN1105FV DTC143XG-AL3-R

描述 NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管VESM NPN 50V 100mANPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT-IN RESISTORS)

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) UTC (友顺)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SC-72-3 VESM -

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

极性 N-Channel, NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

耗散功率 300 mW - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V - -

额定功率(Max) 300 mW - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

封装 SC-72-3 VESM -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Box - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

香港进出口证 NLR - -