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DTC143ESATP

DTC143ESATP

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 通孔 SPT


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SPT T/R


力源芯城:
NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管


DTC143ESATP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 30

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SC-72-3

外形尺寸

封装 SC-72-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

DTC143ESATP引脚图与封装图
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型号: DTC143ESATP

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SC-72 N-Channel 50V 100mA 300mW

当前型号

NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

当前型号

型号: RN1401

品牌: 东芝

封装: S-Mini NPN

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DTC143ESATP和RN1401的区别

型号: KRC119S

品牌: KEC株式会社

封装:

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KRC119S 带阻NPN三极管 100mA/0.1A 4.7k 10k SOT-23/SC-59 marking/标记 N6 开关 接口电路 驱动电路应用

DTC143ESATP和KRC119S的区别

型号: RN1105FV

品牌: 东芝

封装:

功能相似

VESM NPN 50V 100mA

DTC143ESATP和RN1105FV的区别