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RB751S40T1、RB751S40T1G、RB751S-40-TP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB751S40T1 RB751S40T1G RB751S-40-TP

描述 肖特基二极管 Schottky Barrier DiodeON SEMICONDUCTOR  RB751S40T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °CDiode Schottky 40V 0.03A 2Pin SOD-523 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 TVS二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523-2 SOD-523-2 SOD-523

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 30.0 mA 30.0 mA

电容 2.50 pF 2.50 pF 2.00 pF

输出电流 ≤30.0 mA ≤30.0 mA ≤30.0 mA

针脚数 - 2 -

正向电压 370mV @1mA 370mV @1mA 370mV @1mA

极性 Standard Standard Standard

耗散功率 - 200 mW -

热阻 635℃/W (RθJA) 635℃/W (RθJA) -

反向恢复时间 - 6 ns -

正向电流 - 30 mA 30 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 500 mA 200 mA

正向电压(Max) - 370 mV -

正向电流(Max) 0.03 A 30 mA 0.03 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - - 125℃ (Max)

耗散功率(Max) - - 200 mW

长度 1.2 mm 1.3 mm -

宽度 0.8 mm 0.8 mm -

高度 0.6 mm 0.6 mm -

封装 SOD-523-2 SOD-523-2 SOD-523

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -