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FDS6990AS、SI4804CDY-T1-GE3、PHN203,518对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6990AS SI4804CDY-T1-GE3 PHN203,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6990AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.017 Ω 18 mΩ -

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1.7 V 2.4 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 mA 7.1A -

上升时间 - 13 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 550pF @15V(Vds) 865pF @15V(Vds) 560pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 3.1 W 2 W

下降时间 - 9 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1600 mW 2000 mW 2000 mW

通道数 2 - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -