IPD60R385CPATMA1、IPD60R385CPBTMA1对比区别

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型号 IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPBTMA1

描述 INFINEON  IPD60R385CPATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 600V 9A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 -

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.35 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 83 W 83 W

阈值电压 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V

漏源击穿电压 600 V -

连续漏极电流(Ids) 9A 9A

上升时间 5 ns -

输入电容(Ciss) 790pF @100V(Vds) 790pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 83 W -

下降时间 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc)

额定功率 - 83 W

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -