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TLV2442IDG4、TLV2442QDRG4Q1、TLV2442ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2442IDG4 TLV2442QDRG4Q1 TLV2442ID

描述 高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERSTexas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 - 2

耗散功率 0.725 W - 725 mW

共模抑制比 70 dB - 70dB ~ 75dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K - 2.00 µV/K

带宽 1.75 MHz - 1.75 MHz

转换速率 1.40 V/μs - 1.40 V/μs

增益频宽积 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 2 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

增益带宽 - - 1.81 MHz

电源电压 - - 2.7V ~ 10V

电源电压(Max) - - 10 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Rail, Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15