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JANTX2N5004、JANTXV2N5004、2N5004对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5004 JANTXV2N5004 2N5004

描述 Trans GP BJT NPN 80V 10A 3Pin TO-59TO-59 NPN 80V 10APower Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 TO-59 TO-59 TO-59

极性 - NPN -

耗散功率 2 W 2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 - 10A -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -

最小电流放大倍数(hFE) 70 @2.5A, 5V - -

额定功率(Max) 2 W - -

封装 TO-59 TO-59 TO-59

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -