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JANTX2N5004

数据手册.pdf

Trans GP BJT NPN 80V 10A 3Pin TO-59

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 2W Chassis, Stud Mount TO-59


艾睿:
This NPN JANTX2N5004 general purpose bipolar junction transistor from Microsemi is perfect for a circuit requiring high-current density and can operate in a high voltage range. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5.5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5.5 V.


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray


JANTX2N5004中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-59

外形尺寸

封装 TO-59

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JANTX2N5004引脚图与封装图
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替代型号JANTX2N5004
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N5004

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-59

当前型号

Trans GP BJT NPN 80V 10A 3Pin TO-59

当前型号

型号: JANTXV2N5004

品牌: 美高森美

封装: TO-59 NPN

完全替代

TO-59 NPN 80V 10A

JANTX2N5004和JANTXV2N5004的区别

型号: JAN2N5004

品牌: 美高森美

封装: TO-59

完全替代

Trans Npn 80V 5A To59

JANTX2N5004和JAN2N5004的区别

型号: 2N5004

品牌: 美高森美

封装:

完全替代

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

JANTX2N5004和2N5004的区别