SPD04N80C3ATMA1、SPD04N80C3BTMA1对比区别

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型号 SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3BTMA1

描述 INFINEON  SPD04N80C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 800V 4A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 -

漏源极电阻 1.1 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 63 W 63 W

阈值电压 3 V 2.1 V

输入电容 570 pF -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 4A 4A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 570pF @100V(Vds) 570pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 63 W -

下降时间 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc)

额定功率 - 63 W

通道数 - 1

漏源击穿电压 - 800 V

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -