SPD04N80C3BTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPD04N80C3BTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 63 W
通道数 1
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 63 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 570pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPD04N80C3BTMA1引脚图与封装图
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在线购买SPD04N80C3BTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPD04N80C3BTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 800V 4A | 搜索库存 |
替代型号SPD04N80C3BTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD04N80C3BTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 800V 4A | 当前型号 | DPAK N-CH 800V 4A | 当前型号 |
| 型号： SPD04N80C3ATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 800V 4A | 类似代替 | INFINEON SPD04N80C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | SPD04N80C3BTMA1和SPD04N80C3ATMA1的区别 |