KSH350、NJVMJD350T4G、MJD350T4对比区别

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型号 KSH350 NJVMJD350T4G MJD350T4

描述 高电压功率晶体管D- PAK表面贴装应用 High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount ApplicationsDPAK PNP 300V 0.5ASILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15W

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 1.56 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 240 -

额定功率(Max) - 1.56 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1560 mW -

封装 DPAK TO-252-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -