IRFR18N15DTRPBF、STD6NF10T4、IRFR18N15DPBF对比区别

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型号 IRFR18N15DTRPBF STD6NF10T4 IRFR18N15DPBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDS(ON) 0.125Ω; ID 18A; D-Pak (TO-252AA); PD 110WSTMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V150V,18A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 100 V 150 V

额定电流 - 6.00 A 18.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.125 Ω 0.22 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 30 W 110 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 100 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 100 V 150 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 3.00 A 18.0 A

上升时间 - 10 ns 25.0 ns

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 30 W 110 W

下降时间 - 3 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 30W (Tc) -

产品系列 IRFR18N15D - IRFR18N15D

输入电容 900pF @25V - -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99