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STD6NF10T4

STD6NF10T4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 6A


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD6NF10T4, 6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 0.22 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STD6NF10T4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 30000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device utilizes stripfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD6NF10 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm STripFET™ 功率 Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 30W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
6A,100V,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK


STD6NF10T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 6.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD6NF10T4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD6NF10T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STD6NF10T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD6NF10T4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 3A 220mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

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品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ

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品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

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